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外延片

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CEESCH-GaN

  • 厚的半绝缘GaN层基板材料和直径的选择。产品是适合加工肖特基氮化镓整流器。

CEEFET-20AlGaN-NoSiN

  • GaN HEMT的结构与20%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

CEEFET-23AlGaN-NoSiN

  • GaN HEMT的结构与23%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

CEEFET-26AlGaN-NoSiN

  • GaN HEMT的结构与26%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

CEEFET-20AlGaN-SiN

  • GaN HEMT的结构与20%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。

CEEFET-23AlGaN-SiN

  • GaN HEMT的结构,23%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。

CEEFET-26AlGaN-SiN

  • GaN HEMT的结构与26%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关

Custom

  • 基板材料和直径的选择所需的氮化镓,氮化铝镓和AlN层的组合组成的自定义的外延层。铁或氮掺杂GaN缓冲层可以减少缓冲区漏电流。 Mg掺杂和含合金是目前无法使用。


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